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自由跌落的失效分析

发布时间:2016-04-12 13:48      浏览次数:

采用了高加速度的下跌实验方法,研讨BGA(球栅阵列)封装在自在下跌冲击中的可靠性。用下跌台模仿实在工况下BGA封装芯片的下跌做法,从650mm高处下跌,使其满意JESD22-B111条件(脉冲峰值1500g,脉冲持续时间0.5ms) ,实验中以BGA封装芯片动态电压的实时变化为基准,剖析芯片失效的几个期间与下跌次数的联系。对失效封装芯片进行染色实验,调查BGA封装中焊球的失效方位和焊球内部裂纹的形状,依据调查成果剖析和评论芯片封装在实在自在下跌条件下,板级BGA封装焊球裂纹的成长机制。
采用了高加速度的下跌实验方法,研讨BGA(球栅阵列)封装在自在下跌冲击中的可靠性。用类型下跌台模仿实在工况下BGA封装芯片的下跌做法,从650mm高处下跌,使其满意JESD22-B111条件(脉冲峰值1500g,脉冲持续时间0.5ms) ,实验中以BGA封装芯片动态电压的实时变化为基准,剖析芯片失效的几个期间与下跌次数的联系。对失效封装芯片进行染色实验,调查BGA封装中焊球的失效方位和焊球内部裂纹的形状,依据调查成果剖析和评论芯片封装在实在自在下跌条件下,板级BGA封装焊球裂纹的成长机制。
 

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